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J-Ras离子迁移试验装置1000V 2000V 3000V
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J-Ras离子迁移试验装置 1000V 2000V 3000V


设备简介:

HVUα-1000/2000/3000试验装置是J-RAS公司开发的一种高
电压的离子迁移试验设备,最高电压可达到4000V,广泛应用于
新能源、汽车电子、5G通讯等产品可靠性检测。


性能优势:

​1.具备高、低电压测试自动切换功能,电压稳定,精度高(±〔0.3%(F.S.)+0.5〕V (计测偏压精度))
2.各通道可以独立设定不同电压
3.每个通道均有电流过载保护,可保护设备及测试样品
4.模组化设计,轻便,占地小,易维护
5.TRIAXIAL三重隔离线设计,可有效屏蔽干扰信号 

​

Specitications规格参数

硬体项目

规格·性能·其他

HVUα-1000

HVUα-2000

HVUα-3000

框
体

通道

5-50通道

筐体寸法

410mm(W)×480mm(H)×324mm(D)(突起部除外)

重量

23KG(50通道)

性
能

电压范围

50-1000V

50-2000V

100-3000V

最大输出电流

About 1.4mA/CH

About 600μA/CH

About 400μA/CH

电压设定格式

1V为单位

计测输入电压范围

50-1000V

50-2000V

100-3000V

计测电流范围

140nA/14uA/1.4mA

60nA/6uA/600mA

40nA/4uA/400mA

计测电阻范围

36kΩ~7.2TΩ

83kΩ~33TΩ

250kΩ~75TΩ

输出电压格式

5通道独立显示电压,单独控制开/关

软体

计测电阻范围

2.5K-75TΩ(最高4PΩ)/最大通道数 200通道(50CH通道一组,共4组)

扫描速度

最大 50msec/通道

测试时间

1min-10000H

数据收录间隔

1-60min(可以任意1min为定期)

​


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